ルナハです。今回は電子回路の問題になります。
また問題は平成26年度第1回AI・DD総合種「第2問(2)」を解説していきます。よろしくお願いします。
第2問
(2) 図に示すトランジスタ回路において、Vccを10ボルト、Rcを3キロオームとするとき、コレクタ電流Icを2ミリアンペアとするには、ベースバイアス抵抗RBを(イ)キロオームにする必要がある。ただし、直流電流増幅率hFEを100、ベースーエミット間の電圧VBEを0.64ボルトとする。
手書き解説
以下に解答を貼っていきます。
JPEGでも添付しておきます。
↓
いつも通りできるとこまでは記述します。
解説
工事担任者での電子回路の問題は覚えることを覚えれば電気回路より簡単になっています。
考え方は電気回路とほとんど同じです。
問題のVccが要するに電源です。
電気回路でも学んだ
V=IRより下記の式になります。
- Vcc=Rc(Ic+IB)+RBIB+VBE ①
問題の回路を見てみると電流IcとIBがあります。
このIcとIBはもともとはIc+IBとなりますよね。
電流が分岐する前のIc+IBはRcに流れる電流です。
したがって、Rc×(Ic+IB)となります。
ここまでの整理です。
値が出ているのでVcc=10[V]、Rc=3[kΩ]、VBE=0.64[V]、hFE=100、Ic=2[mA]
わかる値はもう代入しましょう。
しかし、IB=?、RB=?ということで?が2個あります。これだと計算できませんのでここである式を使います。
- IB=Ic/hFE
これは覚えましょう。
ここまでの式が出ているならあとは①に代入して計算するだけです。
- Vcc=Rc(Ic+Ic/hFE)+RB×Ic/hFE+VBE
計算していくとRBは165キロオームとなります。
答えは165[kΩ]
(終)
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