ルナハです。よろしくお願いします。
電子回路の問題はパターンが毎度同じなので最低でも5問は解きましょう。
第2問
(2)図1に示すトランジスタ増幅回路において、この回路のトランジスタの各特性が図2及び図3で示すものであるとき、コレクターエミッタ間の電圧VCEは、(イ)ボルトとなる。ただし、R1は100オーム、R2は2.4キロオーム、R3は3キロオームとする。
手書き解説
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解説
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では、始めていきます。
まず、VCEを求める式を考えます。回路の問題では求めるものが何かを最初に考えそれに関係する式を求めます。
VCEの式は以下のようになります。
問題の図3から
となることがわかります。
MEMO
ICはIBを100倍にしていることを問題の図3から読み取りましょうまた図2からVBEが求まればIBが求まります。
VBEはR1にかかる電圧V1と等しいのでV1を求めます。
注意
V1を求めるのに分圧の公式を使用しました。よって、
となりました。
ここまで求めたら図2を見てみると
VBEが0.8の時のIBは40[μA]というのが見てわかります。
よって電流ICは
最後に一番最初のVCEの式に代入して終わりです。
答えは8ボルトとなります。(終)
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